式中I為透射光強(qiáng)度，I0為發(fā)射光強(qiáng)度，T為透射比，L為光通過原子化器光程由于L是不變值所以A=KC。

電子躍遷到較高能級以后處于激發(fā)態(tài)，但激發(fā)態(tài)電子是不穩(wěn)定的，大約經(jīng)過10-8秒以后，激發(fā)態(tài)電子將返回基態(tài)或其它較低能級，并將電子躍遷時(shí)所吸收的能量以光的形式釋放出去，這個(gè)過程稱原子發(fā)射光譜。可見原子吸收光譜過程吸收輻射能量，而原子發(fā)射光譜過程則釋放輻射能量。

每一條所發(fā)射的譜線的波長，取決于躍遷前后兩個(gè)能級之差。由于原子的能級很多，原子在被激發(fā)后，其外層電子可有不同的躍遷，但這些躍遷應(yīng)遵循一定的規(guī)則（即“光譜選律”），因此對特定元素的原子可產(chǎn)生一系列不同波長的特征光譜線，這些譜線按一定的順序排列，并保持一定的強(qiáng)度比例。光譜分析就是從識別這些元素的特征光譜來鑒別元素的存在（定性分析），而這些光譜線的強(qiáng)度又與試樣中該元素的含量有關(guān)，因此又可利用這些譜線的強(qiáng)度來測定元素的含量（定量分析）。這就是發(fā)射光譜分析的基本依據(jù)。

技術(shù)性能及指標(biāo)

1. 分光室設(shè)計(jì)

帕邢-龍格結(jié)構(gòu),羅蘭圓直徑400mm

波長范圍140 – 680nm

像素分辨率10pm

恒溫33℃±0.2℃

特殊材質(zhì)鑄造，保證光室形變小

間歇式真空系統(tǒng)，可保證真空泵運(yùn)行時(shí)間小于5

2. 凹面光柵

刻線密度3600l/mm

一級光譜線色散率：1.04 nm/mm

3. 檢測器

高性能線陣CMOS

4. 分析時(shí)間

依樣品種類而不同，一般少于40秒

5. 激發(fā)光源

全數(shù)字等離子火花光源技術(shù)

高能預(yù)燃技術(shù) (HEPS)

頻率100-1000Hz

電流1-80A

6. 激發(fā)臺

3mm樣品臺分析間隙

噴射電極技術(shù)

特殊設(shè)計(jì)的氣路系統(tǒng)，保證氬氣消耗

7. 尺寸和重量

高450mm 長900mm 寬600 mm

120 kg

8. 功率

功率0W

待機(jī)功率70W

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