光譜分析儀的分析原理是將光源輻射出的待測(cè)元素的特征光譜通過樣品的蒸汽中待測(cè)元素的基態(tài)原子所吸收，由發(fā)射光譜被減弱的程度，進(jìn)而求得樣品中待測(cè)元素的含量。


任何元素的原子都是由原子核和繞核運(yùn)動(dòng)的電子組成的，原子核外電子按其能量的高低分層分布而形成不同的能級(jí)，因此，一個(gè)原子核可以具有多種能級(jí)狀態(tài)。能量低的能級(jí)狀態(tài)稱為基態(tài)能級(jí)（E0=0），其余能級(jí)稱為激發(fā)態(tài)能級(jí)，而能低的激發(fā)態(tài)則稱為激發(fā)態(tài)。正常情況下，原子處于基態(tài)，核外電子在各自能量低的軌道上運(yùn)動(dòng)。如果將一定外界能量如光能提供給該基態(tài)原子，當(dāng)外界光能量E恰好等于該基態(tài)原子中基態(tài)和某一較高能級(jí)之間的能級(jí)差E時(shí)，該原子將吸收這一特征波長(zhǎng)的光，外層電子由基態(tài)躍遷到相應(yīng)的激發(fā)態(tài)，而產(chǎn)生原子吸收光譜。電子躍遷到較高能級(jí)以后處于激發(fā)態(tài)，但激發(fā)態(tài)電子是不穩(wěn)定的，大約經(jīng)過10^-8秒以后，激發(fā)態(tài)電子將返回基態(tài)或其它較低能級(jí)，并將電子躍遷時(shí)所吸收的能量以光的形式釋放出去，這個(gè)過程稱原子發(fā)射光譜?？梢娫游展庾V過程吸收輻射能量，而原子發(fā)射光譜過程則釋放輻射能量。
光譜分析就是從識(shí)別這些元素的特征光譜來鑒別元素的存在(定性分析)，而這些光譜線的強(qiáng)度又與試樣中該元素的含量有關(guān)，因此又可利用這些譜線的強(qiáng)度來測(cè)定元素的含量(定量分析)。這就是發(fā)射光譜分析的基本依據(jù)。

原子發(fā)射光譜分析是根據(jù)原子所發(fā)射的光譜來測(cè)定物質(zhì)的化學(xué)組分的。不同物質(zhì)由不同元素的原子所組成，而原子都包含著一個(gè)結(jié)構(gòu)緊密的原子核，核繞著不斷運(yùn)動(dòng)的電子。每個(gè)電子處于一定的能級(jí)上，具有一定的能量。在正常的情況下，原子處于穩(wěn)定狀態(tài)，它的能量是的，這種狀態(tài)稱為基態(tài)。但當(dāng)原子受到能量（如熱能、電能等）的作用時(shí)，原子由于與高速運(yùn)動(dòng)的氣態(tài)粒子和電子相互碰撞而獲得了能量，使原子中外層的電子從基態(tài)躍遷到更高的能級(jí)上，處在這種狀態(tài)的原子稱激發(fā)態(tài)。電子從基態(tài)躍遷至激發(fā)態(tài)所需的能量稱為激發(fā)電位，當(dāng)外加的能量足夠大時(shí)，原子中的電子脫離原子核的束縛力，使原子成為離子，這種過程稱為電離。原子失去一個(gè)電子成為離子時(shí)所需要的能量稱為一級(jí)電離電位。離子中的外層電子也能被激發(fā)，其所需的能量即為相應(yīng)離子的激發(fā)電位。處于激發(fā)態(tài)的原子是十分不穩(wěn)定的，在極短的時(shí)間內(nèi)便躍遷至基態(tài)或其它較低的能級(jí)上。

直讀光譜儀OES6000采用CCD檢測(cè)器全譜測(cè)試技術(shù),可測(cè)試覆蓋波長(zhǎng)范圍內(nèi)的所有譜線，配置和補(bǔ)充測(cè)試基體、通道、分析程序極為方便。儀器體積小巧，方便維護(hù)和實(shí)驗(yàn)室放置。OES6000專注于有色金屬測(cè)試，是有色金屬材料元素測(cè)試的理想儀器。
全譜分析技術(shù)，方便配置更多基體和元素，方便在用戶現(xiàn)場(chǎng)補(bǔ)充配置
儀器體積小巧，對(duì)實(shí)驗(yàn)室空間要求低
全天候工作，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可靠性
樣品測(cè)試速度快，單次測(cè)試過程少于30秒
儀器使用和維護(hù)簡(jiǎn)單、方便，對(duì)人員專業(yè)要求低
原廠安裝分析程序，測(cè)試數(shù)據(jù)，適用合齊全
配置標(biāo)準(zhǔn)化樣品可對(duì)儀器進(jìn)行周期性校正
不使用化學(xué)試劑，測(cè)試過程安全、環(huán)保

技術(shù)性能及參數(shù)

1.分光室設(shè)計(jì)
帕邢-龍格結(jié)構(gòu)
恒溫控制（34℃±0.5℃）
特殊材質(zhì)鑄造，保證光室形變小
2.凹面光柵
刻線密度3600 l/mm
一級(jí)光譜線色散率：1.2 nm/mm
波長(zhǎng)范圍200-500nm
3.檢測(cè)器
高性能線陣CCD
4.分析時(shí)間
依樣品種類而不同，一般少于30秒
5.激發(fā)光源
全數(shù)字等離子火花光源技術(shù)
高能預(yù)燃技術(shù) (HEPS)
頻率100-1000Hz
電流1-80A
6.激發(fā)臺(tái)
4mm樣品臺(tái)分析間隙
噴射電極技術(shù)
無待機(jī)流量，低氬氣消耗
7.尺寸和重量
高300mm 長(zhǎng) 500mm 寬 450mm
30 kg
8.功率
功率700 W
待機(jī)功率40 W

工作條件

工作溫度：15-30℃
相對(duì)濕度：≤70
電 源：220±5V，單相50Hz，接地電阻＜1Ω
實(shí)驗(yàn)室無震動(dòng)、粉塵、強(qiáng)電磁干擾、強(qiáng)氣流、腐蝕性氣體

輔助設(shè)備

高純氬氣——純度99.999以上
交流參數(shù)穩(wěn)壓電源——1KVA
光譜磨樣機(jī)——用于鋼鐵、鎳合金等樣品
小型車床——用于鋁、銅、鋅、鎂合金等樣品
空調(diào)——依實(shí)驗(yàn)室面積配置匹配功率

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

無需抽真空的光室
直讀光譜儀OES6000采用空氣光室設(shè)計(jì)，剔除真空泵。光室完全無油污污染源，儀器性能更穩(wěn)定；維護(hù)更方便，無真空泵運(yùn)行消耗電力。
全譜檢測(cè)全面測(cè)試各種金屬和元素
基于CCD檢測(cè)器全譜測(cè)試技術(shù)，全面測(cè)試各種金屬中元素的譜線，方便實(shí)現(xiàn)多基體、多元素的測(cè)試。
配置和補(bǔ)充測(cè)試基體、通道、分析程序極為方便，方便交貨后在客戶處補(bǔ)充測(cè)試元素、分析程序。
專業(yè)的測(cè)試方案
長(zhǎng)期測(cè)試技術(shù)服務(wù)的積淀，天瑞儀器為鋼鐵、有色金屬材料分析用戶提供成熟的測(cè)試方案。
測(cè)試方案采用針對(duì)材料元素含量分類的分析程序，滿足用戶各類常見測(cè)試需求。
分析程序由原廠采用國際、標(biāo)準(zhǔn)樣品校準(zhǔn)，經(jīng)專業(yè)儀器軟件擬合、校正。
用戶只需采用原廠配置少量標(biāo)準(zhǔn)化樣品即可完成日常維護(hù)，不需購買大量制作分析程序的標(biāo)準(zhǔn)樣品。
國際供應(yīng)商提供核心部件
光譜色散元件——光柵由德國Zeiss制造，保證優(yōu)異的光譜分辨能力
光譜檢測(cè)器——光電倍增管由日本Toshiba制造，確保譜線檢測(cè)靈敏、低噪聲
光學(xué)鏡片——德國Zeiss制造，光纖——美國Agilent制造
的光室恒溫系統(tǒng)
光室恒溫腔體內(nèi)配置反饋式加熱裝置和高效隔溫層，有效保證光室內(nèi)恒溫。
由此抑制溫度變化下機(jī)械件尺寸微弱變化導(dǎo)致的光路漂移。同時(shí)光電器件工作在恒溫環(huán)境有助于性能的穩(wěn)定。

應(yīng)用領(lǐng)域

金屬材料元素含量測(cè)試是金屬冶煉、鑄造、加工以及機(jī)械行業(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)控制、質(zhì)量檢驗(yàn)等相關(guān)工作的傳統(tǒng)測(cè)試項(xiàng)目。
天瑞儀器直讀光譜儀廣泛應(yīng)用于鋼鐵、有色金屬材料元素含量分析,可快速、、穩(wěn)定、同時(shí)測(cè)試幾十種分析元素, 滿足工業(yè)研發(fā)、工藝控制、進(jìn)料檢驗(yàn)、產(chǎn)品分選等多方面的需求。
天瑞儀器直讀光譜儀測(cè)試金屬材料元素含量便捷、環(huán)保、低成本，使研發(fā)、生產(chǎn)的過程和質(zhì)量更可控，幫助用戶提升產(chǎn)品的技術(shù)、質(zhì)量水平；同時(shí)加速相關(guān)流程，為用戶創(chuàng)造明顯的經(jīng)濟(jì)效益和環(huán)保效益。直讀光譜儀已成為衡量企業(yè)技術(shù)和質(zhì)量水平的標(biāo)志性設(shè)備。

根據(jù)物質(zhì)的光譜來鑒別物質(zhì)及確定它的化學(xué)組成和相對(duì)含量的方法叫光譜分析。其優(yōu)點(diǎn)是靈敏，迅速。歷史上曾通過光譜分析發(fā)現(xiàn)了許多新元素，如銣，銫，氦等。根據(jù)分析原理光譜分析可分為發(fā)射光譜分析與吸收光譜分析二種；根據(jù)被測(cè)成分的形態(tài)可分為原子光譜分析與分子光譜分析。光譜分析的被測(cè)成分是原子的稱為原子光譜，被測(cè)成分是分子的則稱為分子光譜。

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