技術(shù)性能及指標(biāo)

1.   分光室設(shè)計(jì)

  帕邢-龍格結(jié)構(gòu),羅蘭圓直徑400mm

  波長范圍140 – 680nm

  像素分辨率10pm

  恒溫33℃±0.2℃

  材質(zhì)鑄造，保證光室形變小

  間歇式真空系統(tǒng)，可保證真空泵運(yùn)行時(shí)間小于5

2.   凹面光柵

  刻線密度3600l/mm

  一級(jí)光譜線色散率：1.04 nm/mm

3.   檢測器

  高性能線陣CMOS

4.   分析時(shí)間

  依樣品種類而不同，一般少于40秒

5.   激發(fā)光源

  全數(shù)字等離子火花光源技術(shù)

  高能預(yù)燃技術(shù) (HEPS)

  頻率100-1000Hz

  電流1-80A

6.   激發(fā)臺(tái)

  3mm樣品臺(tái)分析間隙

  噴射電極技術(shù)

  設(shè)計(jì)的氣路系統(tǒng)，保證氬氣消耗

7.   尺寸和重量

  高450mm 長900mm 寬600 mm

  120 kg

8.   功率

  功率0W

  待機(jī)功率70W

電子躍遷到較高能級(jí)以后處于激發(fā)態(tài)，但激發(fā)態(tài)電子是不穩(wěn)定的，大約經(jīng)過10-8秒以后，激發(fā)態(tài)電子將返回基態(tài)或其它較低能級(jí)，并將電子躍遷時(shí)所吸收的能量以光的形式釋放出去，這個(gè)過程稱原子發(fā)射光譜。可見原子吸收光譜過程吸收輻射能量，而原子發(fā)射光譜過程則釋放輻射能量。

當(dāng)原子從較高能級(jí)躍遷到基態(tài)或其它較低的能級(jí)的過程中，將釋放出多余的能量，這種能量是以一定波長的電磁波的形式輻射出去的，其輻射的能量可用下式表示：（1）E2、E1分別為高能級(jí)、低能級(jí)的能量，h為普朗克（Planck）常數(shù)；v及λ分別為所發(fā)射電磁波的頻率及波長，c為光在真空中的速度。

每一條所發(fā)射的譜線的波長，取決于躍遷前后兩個(gè)能級(jí)之差。由于原子的能級(jí)很多，原子在被激發(fā)后，其外層電子可有不同的躍遷，但這些躍遷應(yīng)遵循一定的規(guī)則（即“光譜選律”），因此對(duì)特定元素的原子可產(chǎn)生一系列不同波長的特征光譜線，這些譜線按一定的順序排列，并保持一定的強(qiáng)度比例。光譜分析就是從識(shí)別這些元素的特征光譜來鑒別元素的存在（定性分析），而這些光譜線的強(qiáng)度又與試樣中該元素的含量有關(guān)，因此又可利用這些譜線的強(qiáng)度來測定元素的含量（定量分析）。這就是發(fā)射光譜分析的基本依據(jù)。
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